About: dbkwik:resource/kV1kGKfYwf4PuyiAMgFgIA==

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rdfs:label	반도체 선폭
rdfs:comment	반도체 선폭은 반도체의 핵심 기술로 반도체 회로 선의 폭이다. 반도체의 핵심 기술은 선폭 줄이기 1개의 웨이퍼에서 나오는 칩의 수량에 따라 디램 원가는 달라진다. 그러므로 회로의 선폭을 축소하여 칩의 크기를 최대한 줄여야 한다. 반도체를 만들때 회로 선폭이 작으면 작을수록 집적율이 높아진다. 1958년 텍사스 인스트루먼트(TI)의 잭 킬비가 집적 회로(IC)를 발명한 이후 1970년대 후반까지 반도체 산업은 미국의 독무대였다. 그러다 인텔이 후발주자인 일본 업체들의 물량 공세에 밀려 1985년 D램 생산에서 손을 뗄 수밖에 없는 상황으로 몰리면서 반도체 분야 패권은 일본에 넘어갔다. 일본 패권시대는 1990년대 초반까지 이어졌다. 1985년 D램 생산에서 손을 뗄 수밖에 없는 상황으로 몰리면서 반도체 분야 패권은 일본에 넘어가게 된 배경에는 대형 진공관 회로에서 상대적으로 작은 트랜지스터 회로 그리고 트랜지스터 회로의 한계를 넘어 집적 회로(IC)를 응용한 경박단소(輕薄短小)의 아날 로그식 첨단 전자제품의 세계 시장을 석권한 일본의 물량공세가 결정적으로 작용했다. 1990년대 초반까지 이어진 아날로그식 첨단 전자제품의 세계 시장의 패권을 일본이 잡고 있었다. 당시에는 반도체 회로의 선폭을 머리카락 두께인 1μm(마이크로미터)이하로는 만들지 못했다.
dcterms:subject	dbkwik:resource/VJYrOKslcZTtBgR_JCvqHQ==
abstract	반도체 선폭은 반도체의 핵심 기술로 반도체 회로 선의 폭이다. 반도체의 핵심 기술은 선폭 줄이기 1개의 웨이퍼에서 나오는 칩의 수량에 따라 디램 원가는 달라진다. 그러므로 회로의 선폭을 축소하여 칩의 크기를 최대한 줄여야 한다. 반도체를 만들때 회로 선폭이 작으면 작을수록 집적율이 높아진다. 1958년 텍사스 인스트루먼트(TI)의 잭 킬비가 집적 회로(IC)를 발명한 이후 1970년대 후반까지 반도체 산업은 미국의 독무대였다. 그러다 인텔이 후발주자인 일본 업체들의 물량 공세에 밀려 1985년 D램 생산에서 손을 뗄 수밖에 없는 상황으로 몰리면서 반도체 분야 패권은 일본에 넘어갔다. 일본 패권시대는 1990년대 초반까지 이어졌다. 1985년 D램 생산에서 손을 뗄 수밖에 없는 상황으로 몰리면서 반도체 분야 패권은 일본에 넘어가게 된 배경에는 대형 진공관 회로에서 상대적으로 작은 트랜지스터 회로 그리고 트랜지스터 회로의 한계를 넘어 집적 회로(IC)를 응용한 경박단소(輕薄短小)의 아날 로그식 첨단 전자제품의 세계 시장을 석권한 일본의 물량공세가 결정적으로 작용했다. 1990년대 초반까지 이어진 아날로그식 첨단 전자제품의 세계 시장의 패권을 일본이 잡고 있었다. 당시에는 반도체 회로의 선폭을 머리카락 두께인 1μm(마이크로미터)이하로는 만들지 못했다. 눈에 보이지도 않는 나노미터 크기의 선폭을 이용해 기억소자를 만든다면 현재의 기가(G=10억)비트보다 1000배 빠른 속도와 용량을 자랑하는 테라(1조)비트급 집적도의 반도체칩을 만드는 것이 가능해진다. 현재 반도체칩은 선폭이 1백nm보다 가늘어지기 어려운 기술적 한계를 맞고 있다. 2007년 액침 공정은 45㎚ 수준으로 선폭을 좁힐 수 있어 세계 반도체 업계가 도입을 서두르고 있다. 이에 따라 고집적 반도체 제조의 핵심인 회로 선폭 줄이기도 계속돼 현재 70∼80㎚ 공정까지 양산 라인에 적용되고 있다. 광원을 ArF 엑시머 레이저로 사용하는 포토레지스트 원료인 모노머는 반도체 선폭 미세화에 따라 최근(2009년 5월말) 매출이 급증하는 추세이다. 현재 양산 기술로는 20나노 이하 선폭의 반도체를 만들 수 없는 상황이 된다는 얘기다. 또 하나가 반도체 제조 장비의 문제다. 기본적이지만 큰 문제는 바로 ‘열’이다. 지금과 같은 실리콘 반도체에서 회로 선폭만 줄어든다면 반도체 칩의 표면 온도는 20년 이내에 태양 내부 온도인 100만℃에 이르게 된다. 반도체는 떼돈 벌어서 재투자를 무지하게 한다는데 상당 부분이 장비 구입에 사용한다. 스테퍼같은 장비는 반도체 선폭이 미세해짐에 따라 값이 천정부지가 되어서 대당 수백억원은 되는 듯 하다. 분류:반도체

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