바이폴라 트랜지스터(Bipolar transistor 또는 Bipolar junction transistor ; BJT)는 접합형 트랜지스터라고도 불리는 트랜지스터의 일종이다. n-형과 p-형 반도체, 그리고 이들의 접합(接合) 형성과 이용이 개발되었다. N형과 P형 반도체가 P-N-P 또는 N-P-N 의 접합구조를 가지고 있다. 이미터,베이스,켈렉타 :세게의 단자 발진,주파수변환,스위칭 접합형 트랜지스터(FET)집적도가 높다. 쇼클리는 1949년 접합형 트랜지스터에 관한 논문을 발표했다. 1950년에 드디어 접합형 트랜지스터가 실현되자 반도체의 이용은 새로운 양상을 띠어 모든 산업분야에서의 전자회로소자(電子回路素子)가 크게 발전하였다. 크기가 작고 전류 소모가 적어 진공관을 대체하여 대부분의 전자회로에 사용되며 이를 고밀도로 집적한 집적회로가 있다. 접합형 트랜지스터와 전기장 효과 트랜지스터로 구분한다. 분류:반도체 분류:접합
바이폴라 트랜지스터(Bipolar transistor 또는 Bipolar junction transistor ; BJT)는 접합형 트랜지스터라고도 불리는 트랜지스터의 일종이다. n-형과 p-형 반도체, 그리고 이들의 접합(接合) 형성과 이용이 개발되었다. N형과 P형 반도체가 P-N-P 또는 N-P-N 의 접합구조를 가지고 있다. 이미터,베이스,켈렉타 :세게의 단자 발진,주파수변환,스위칭 접합형 트랜지스터(FET)집적도가 높다. 쇼클리는 1949년 접합형 트랜지스터에 관한 논문을 발표했다. 1950년에 드디어 접합형 트랜지스터가 실현되자 반도체의 이용은 새로운 양상을 띠어 모든 산업분야에서의 전자회로소자(電子回路素子)가 크게 발전하였다. 크기가 작고 전류 소모가 적어 진공관을 대체하여 대부분의 전자회로에 사용되며 이를 고밀도로 집적한 집적회로가 있다. 접합형 트랜지스터와 전기장 효과 트랜지스터로 구분한다. 분류:반도체 분류:접합