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| - 질화물 반도체(窒化物半導體)란, III-V족 반도체이며, V족 원소로 질소를 이용한 반도체이다. 질화 알루미늄(AIN), 질화 갈륨(GaN), 질화 인듐(InN)이 대표적이다. 질화 알루미늄은 절연체이지만, 같은 계열로 논의된다. 기존의 반도체에 비해 띠간격이 큰 와이드갭 반도체이며, 또한 갈륨, 인듐, 알루미늄의 농도를 변화시켜서, 띠간격을 크게 변화시킬 수 있다. 그렇기 때문에 가시광선 영역의 거의 대부분을 커버할 수 있어 발광재료로 유망시되고 있다. 그 외에도, 화학적으로 안정한 것, 물리적으로 단단한 것, 비소의 유독물질이 사용되지 않아서 환경적인 것 등 여러 특징을 가진다.
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abstract
| - 질화물 반도체(窒化物半導體)란, III-V족 반도체이며, V족 원소로 질소를 이용한 반도체이다. 질화 알루미늄(AIN), 질화 갈륨(GaN), 질화 인듐(InN)이 대표적이다. 질화 알루미늄은 절연체이지만, 같은 계열로 논의된다. 기존의 반도체에 비해 띠간격이 큰 와이드갭 반도체이며, 또한 갈륨, 인듐, 알루미늄의 농도를 변화시켜서, 띠간격을 크게 변화시킬 수 있다. 그렇기 때문에 가시광선 영역의 거의 대부분을 커버할 수 있어 발광재료로 유망시되고 있다. 그 외에도, 화학적으로 안정한 것, 물리적으로 단단한 것, 비소의 유독물질이 사용되지 않아서 환경적인 것 등 여러 특징을 가진다.
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