액침 노광은 노광 장치의 투영 레지스트와 레지스트의 사이에 순수(純水)를 채워서 광학계의 개구수(NA)를 1보다 높이는 기술이다. 2007년에 첨단 메모리의 양산에 액침 ArF 노광 장치가 도입되었다. 컨셉의 제안에서부터 5년만의 양산 도입이라는 것은 리소그라피 기술의 과거 개발사에는 없는 이례적으로 빠른 것이었다. 뒤에 언급할 더블패터닝과 병용한다면 액침 노광은 앞으로 2세대 후에도 사용할 수 있다. 당장은 액침 노광의 시대가 계속될 것이다. 이 기술을 양산으로 도입하는 것에 맞추어서 레지스트와 순수(純水)가 닿는 것에 기인하는 문제에의 대응이 필요했다. 특히 우려되었던 문제는 두가지였다. 하나는 감광제 등의 레지스트 조성물이 순수에 녹아 나와서 노광 장치의 렌즈 표면을 오염시키는 것이다. 둘째는 액침 고유의 패턴 결함이 발생하는 것이다. 고굴절률 액침은 ArF노광을 연명할 수 있다는 우위성이 있지만 차세대 리소그라피 기술의 후보로서의 우선도는 후퇴하고 있다. 굴절률이 높은 렌즈 재료의 개발이 어렵다거나 더블패터닝이 생각보다 조기에 완성되었다는 점이 부담이다. 분류:리소그라피
액침 노광은 노광 장치의 투영 레지스트와 레지스트의 사이에 순수(純水)를 채워서 광학계의 개구수(NA)를 1보다 높이는 기술이다. 2007년에 첨단 메모리의 양산에 액침 ArF 노광 장치가 도입되었다. 컨셉의 제안에서부터 5년만의 양산 도입이라는 것은 리소그라피 기술의 과거 개발사에는 없는 이례적으로 빠른 것이었다. 뒤에 언급할 더블패터닝과 병용한다면 액침 노광은 앞으로 2세대 후에도 사용할 수 있다. 당장은 액침 노광의 시대가 계속될 것이다. 이 기술을 양산으로 도입하는 것에 맞추어서 레지스트와 순수(純水)가 닿는 것에 기인하는 문제에의 대응이 필요했다. 특히 우려되었던 문제는 두가지였다. 하나는 감광제 등의 레지스트 조성물이 순수에 녹아 나와서 노광 장치의 렌즈 표면을 오염시키는 것이다. 둘째는 액침 고유의 패턴 결함이 발생하는 것이다. 레지스트 조성물 중에서 순수에의 용출량이 가장 많은 것은 PAG다. 드라이 노광용 ArF 레지스트를 물에 담구면 몇 초 사이에 10의 마이너스 11승mol/제곱센티메터의 PAG가 녹아 나온다. 레지스트가 표층에서 깊이 약 10nm까지의 PAG가 녹은 것이 된다. 노광 장치 메이커가 요구하는 PAG용출량은 10의 마이너스 13승mol/제곱센티메터 이하여서 레지스트 메이커는 재료의 개량에 의하여 이를 달성해 왔다. 또한 액침 노광에서는 드라인 노광과 비교하여 노광 시에 전사되는 결함이 늘어난다. 이러한 문제는 레지스트와 물의 상호작용을 가능한 한 작게 하는 것으로 해결할 수 있다. 그 방법은 주로 두가지 이다. 하나는 레지스트에 '액침 탑 코트재'로 부르는 보호막을 올려서 순수와 레지스트를 접촉시키지 않도록 하는 톱 코트 프로세스. 두번째는 PAG용출이 적은 전용 레지스트를 사용하는 논 탑 코트 프로세스이다. 중래에서 톱 코트 프로세스는 논 톱 코트 레지스트가 등장하기까지의 연결고리라고 생각되어져 왔다. 그런데 논 톱 코트 레지스트의 완성도가 높아지기 전에 톱 코트 프로세스가 안정적으로 사용되게 되었기 때문에 연명될 가능성이 나타났다. 현재 LSI 메이커의 대부분이 액침 노광에 톱 코트 프로세스를 사용하고 있다. 액침 톱 코트재로는 트레이드 오프가 되는 복수의 조건을 동시에 만족시키지 않으면 안된다. 표면을 발수성(WATER REPELLENCY)으로 할 것, 바탕의 레지스트를 열화시키지 않을 것, 현상 시에 레지스트와 동시에 톱 코트재가 용해, 박리되어 질 것 등이다. 우리들은 이러한 트레이드오프를 극복하고 높은 발수성과 알카리 용해성을 겸비한 액침 톱 코트재를 개발했다. 레지스트에서의 PAG용출량을 종래의 1/100로 저감할 수 있게 된 것이다. 한편, 논 톱 코트 프로세스에서는 레지스트 표면을 발수성으로 한다. 물의 침입을 억제하는 것에 의하여 PAG의 용출과 워터 마크 결함의 발생을 억제한다. 최근에 와서 논 톱 코트 프로세스용의 전용 레지스트에서도 높은 해상 성능과 결함 내성이 얻어지게 되었다. 다만 레지스트 표면의 발수부가 현상액에 빠르게 녹지 않기 때문에 현상 시에 결함을 만드는 가능성이 높다. 결함의 발생을 억제하는 대책을 부족하다. 고굴절률 액침은 ArF노광을 연명할 수 있다는 우위성이 있지만 차세대 리소그라피 기술의 후보로서의 우선도는 후퇴하고 있다. 굴절률이 높은 렌즈 재료의 개발이 어렵다거나 더블패터닝이 생각보다 조기에 완성되었다는 점이 부담이다. 분류:리소그라피