근접장 광기록은 빛이 가진 회절 특성으로 인해 일반적인 렌즈를 통해서는 파장보다 빛을 작게 모을 수 없다. 이를 극복하기 위해서 근접장 광 기술이 이용되는데, 파장 보다 작은 크기의 탐침이나 나노 개구를 통해서 작은 빛의 형성할 수 있다. 이렇게 형성된 빛은 근접장 영역에서만 그 크기가 유지되기 때문에 사용하려는 기판이 탐침과 매우 가까이 있어야 한다(수십 나노미터). 이렇게 형성된 작은 크기의 빛은 고밀도 정보저장기기 혹은 고분해능 노광 기술에 응용이 가능하다. 근접장은 헤드와 기록 미디어의 거리를 광 파장보다 짧은 거리까지 근접시킴으로써 공기중의 광파장보다 짧은 근접장 광을 이용해 고면밀도 기록을 실행하는 것이다. 고기록 밀도를 실현하기 위해 앞으로는 근접장 광을 이용하여 수십 nm의 스팟 사이즈를 실현할 것이라고 한다. 제4세대 TB급(테라바이트급) 광저장 장치를 실현할 수 있는 핵심기술인 홀로그램 기술과 근접장 기술의 개발 경쟁이 뜨겁게 전개되고 있다. 기업, 연구소들은 이미 4세대 광정보 저장기기 개발에 나서고 있다. 대표적인 것이 고체침지렌즈 (SIL)를 이용해 개구수를 높인‘근접장기록’(NFR) 방식의 SIL-NFR 기술이다.
근접장 광기록은 빛이 가진 회절 특성으로 인해 일반적인 렌즈를 통해서는 파장보다 빛을 작게 모을 수 없다. 이를 극복하기 위해서 근접장 광 기술이 이용되는데, 파장 보다 작은 크기의 탐침이나 나노 개구를 통해서 작은 빛의 형성할 수 있다. 이렇게 형성된 빛은 근접장 영역에서만 그 크기가 유지되기 때문에 사용하려는 기판이 탐침과 매우 가까이 있어야 한다(수십 나노미터). 이렇게 형성된 작은 크기의 빛은 고밀도 정보저장기기 혹은 고분해능 노광 기술에 응용이 가능하다. 근접장은 헤드와 기록 미디어의 거리를 광 파장보다 짧은 거리까지 근접시킴으로써 공기중의 광파장보다 짧은 근접장 광을 이용해 고면밀도 기록을 실행하는 것이다. 고기록 밀도를 실현하기 위해 앞으로는 근접장 광을 이용하여 수십 nm의 스팟 사이즈를 실현할 것이라고 한다. 제4세대 TB급(테라바이트급) 광저장 장치를 실현할 수 있는 핵심기술인 홀로그램 기술과 근접장 기술의 개발 경쟁이 뜨겁게 전개되고 있다. 기업, 연구소들은 이미 4세대 광정보 저장기기 개발에 나서고 있다. 대표적인 것이 고체침지렌즈 (SIL)를 이용해 개구수를 높인‘근접장기록’(NFR) 방식의 SIL-NFR 기술이다. 연세대 한재원 교수(기계공학)는 접촉식 기법을 활용하여 기존 근접장 노광 기술 보다 수백 배 빠른 기록 속도를 가진 노광 기술 개발에 성공했다고 2009년 12월 29일 밝혔다. 기존의 근접장 노광 기술은 30nm 급 분해능을 실현할 수 있는 차세대 반도체 노광 기술로 주목을 받았으나, 초당 수십 마이크로미터 정도의 느린 기록 속도와 근접장 기록 특성 때문에 실제 응용에 한계를 가지고 있었다. 한 교수팀은 광 프로브와 기록 매체 간에 자기조립 단분자막 윤활층을 삽입함으로써 기록 속도의 한계와 근접장 기록의 기술적인 문제를 극복하고, 초고속 노광 기술을 실현하였다.