띠간격이란 반도체, 절연체의 띠구조에서 전자에 점유된 가장 높은 에너지띠 (원자가띠)의 맨위부터 가장 낮은 공간띠 (전도띠)의 바닥까지 사이의 에너지 준위나 그 에너지 차이를 말한다. 흔히 밴드갭 (band gap)이라고도 한다. E-k 공간상에 있고, 전자는 이 상태를 취할 수 없다. 띠간격의 존재에 기인하는 반도체 물성은 반도체소자에서 적극적으로 이용하고 있다. 그리고 넓은 의미로는 결정의 띠구조에 대하여 전자가 존재할 수 없는 영역 전체를 가리킨다.
띠간격이란 반도체, 절연체의 띠구조에서 전자에 점유된 가장 높은 에너지띠 (원자가띠)의 맨위부터 가장 낮은 공간띠 (전도띠)의 바닥까지 사이의 에너지 준위나 그 에너지 차이를 말한다. 흔히 밴드갭 (band gap)이라고도 한다. E-k 공간상에 있고, 전자는 이 상태를 취할 수 없다. 띠간격의 존재에 기인하는 반도체 물성은 반도체소자에서 적극적으로 이용하고 있다. 그리고 넓은 의미로는 결정의 띠구조에 대하여 전자가 존재할 수 없는 영역 전체를 가리킨다. [[그림:BandDiagram-Semiconductors-J.PNG|thumb|right|250px|반도체 띠구조의 모식도. E는 전자가 가지는 에너지, k는 파수이다. Eg가 띠간격이다. 반도체 (또는 절연체)는 "절대영도에서 전자가 들어가있는 맨위의 에너지띠"가 전자로 채워져 있음 (원자가띠), 그 위에 띠간격을 넘어서 빈띠가 있다. (전도띠)]] [[그림:BandGap-Comparison-withfermi-J.PNG|thumb|250px|right|금속, 반도체, 절연체의 띠구조의 간단한 모식도 (k 공간 무시함)]] 띠간격을 표현할때 E-k 공간에서 띠간격 주변만 주목하거나, k 공간을 무시하고 에너지 준위만을 표현한 그림도 자주 사용된다.