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| - 피램(또는 상변화 메모리, Phase-change Memory)은 비휘발성 메모리의 한 종류이며, 플래시 메모리의 비휘발성과, RAM의 빠른 속도의 장점을 모두 가지고 있는 차세대 메모리 반도체이다. 피램은 열을 가함에 따라 비정질상태와 결정질상태로 바뀌는 칼코게나이드 유리의 독특한 특성을 이용하여 데이터를 저장한다. {{안내/핵심 |틀이름 = {{{이름|{{{틀이름}}}}}} |안내 참조 = |state = autocollapse |제목 = 저장 미디어 |image = |imageleft = |imagespan = 2 |span = 2 |nogroups = false |bodystyle = |titlestyle = |abovestyle = background:#ddddff; |belowstyle = background:#ddddff; |above = |below = |gs = white-space:nowrap;background:#ddddff;text-align:right;font-size:85%; |os = width:100%;font-size:85%; |es = width:100%;font-size:85%;background:#f7f7f7;
- PRAM(피램 또는 상변화 메모리, 영어: Phase-change Memory)는 비휘발성 메모리의 한 종류이며, 플래시 메모리의 비휘발성과, RAM의 빠른 속도의 장점을 모두 가지고 있는 차세대 메모리 반도체이다. 피램(P)은 실리콘으로 만드는 기존 반도체와 달리 게르마늄 합성물질을 이용하는 차세대 반도체이다. 피램(PRAM, Phase-change Random Access Memory)은 상변태를 하는 물질을 이용하여 저항의 차이로 데이터를 저장한다. PRAM 은 배터리를 가진 비소멸성 메모리로 사용자가 설정한 여러 데이터를 기억하고 유지하는 기능을 하게 된다. 차세대 메모리로 피램, 엠램 등이 있다는 것은 모두 알지만 아직 이런 반도체들은 시장에서 단품으로 팔기엔 부족하다. 반도체산업에 많은 노력과 투자를 아끼지 않는 삼성전자 지난달(2010년 4월) 말 삼성전자는 세계 최초로 PRAM의 상용화에 성공하여 512Mbit PRAM를 양산한다고 밝혔다. 삼성은 차세대 PRAM을 6월에 출하할 예정이다. 차세대 PRAM (phase change RAM)은 512MB 칩으로, NAND와 NOR 플래시 메모리를 합한 제품이다.
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| - 피램(또는 상변화 메모리, Phase-change Memory)은 비휘발성 메모리의 한 종류이며, 플래시 메모리의 비휘발성과, RAM의 빠른 속도의 장점을 모두 가지고 있는 차세대 메모리 반도체이다. 피램은 열을 가함에 따라 비정질상태와 결정질상태로 바뀌는 칼코게나이드 유리의 독특한 특성을 이용하여 데이터를 저장한다. {{안내/핵심 |틀이름 = {{{이름|{{{틀이름}}}}}} |안내 참조 = |state = autocollapse |제목 = 저장 미디어 |image = |imageleft = |imagespan = 2 |span = 2 |nogroups = false |bodystyle = |titlestyle = |abovestyle = background:#ddddff; |belowstyle = background:#ddddff; |above = |below = |gs = white-space:nowrap;background:#ddddff;text-align:right;font-size:85%; |os = width:100%;font-size:85%; |es = width:100%;font-size:85%;background:#f7f7f7; |g1 = 자기 저장 미디어 |g2 = 광 저장 미디어 |g3 = |g4 = |g5 = |g6 = |g7 = |g8 = |g9 = |g10 = |g11 = |g12 = |g13 = |g14 = |g15 = |g16 = |g17 = |g18 = |g19 = |g20 = |l1 = 와이어 기록 (1898)-자기 테이프 (1928)- 드럼 메모리 (1932) - 페라이트 코어 (1949)-하드 디스크 (1956)- 자기 카드 (1956) - 자기 잉크 문자 인식 (1956)- 박막 (1962) - NCR CRAM (1962) - 트위스터 메모리 (~1968)- 플로피 디스크 (1969)- 버블 메모리 (~1970) -비디오 테이프 (1976) - MRAM (2003) |l2 = LD · CD(1983) · MOD(1988) · MD(1992) · CD-ROM · Video CD(1993) · CD-R · PD · DVD(1996) · DVD-R · DVD-RAM · DVR · HD-DVD · BD(2001) · BD-R · PRAM(2004) · UMD(2005) |l3 = |l4 = |l5 = |l6 = |l7 = |l8 = |l9 = |l10 = |l11 = |l12 = |l13 = |l14 = |l15 = |l16 = |l17 = |l18 = |l19 = |l20 = }}
- PRAM(피램 또는 상변화 메모리, 영어: Phase-change Memory)는 비휘발성 메모리의 한 종류이며, 플래시 메모리의 비휘발성과, RAM의 빠른 속도의 장점을 모두 가지고 있는 차세대 메모리 반도체이다. 피램(P)은 실리콘으로 만드는 기존 반도체와 달리 게르마늄 합성물질을 이용하는 차세대 반도체이다. 피램(PRAM, Phase-change Random Access Memory)은 상변태를 하는 물질을 이용하여 저항의 차이로 데이터를 저장한다. PRAM 은 배터리를 가진 비소멸성 메모리로 사용자가 설정한 여러 데이터를 기억하고 유지하는 기능을 하게 된다. 차세대 메모리로 피램, 엠램 등이 있다는 것은 모두 알지만 아직 이런 반도체들은 시장에서 단품으로 팔기엔 부족하다. 반도체산업에 많은 노력과 투자를 아끼지 않는 삼성전자 지난달(2010년 4월) 말 삼성전자는 세계 최초로 PRAM의 상용화에 성공하여 512Mbit PRAM를 양산한다고 밝혔다. 삼성은 차세대 PRAM을 6월에 출하할 예정이다. 차세대 PRAM (phase change RAM)은 512MB 칩으로, NAND와 NOR 플래시 메모리를 합한 제품이다. 초기 PRAM 연구는 원천특허를 보유한 S.R.Ovshinsky와 ECD- Ovonics사를 중심으로 소수의 연구그 룹에 의해 진행되었다. 상변화 메모리의 특성상 전원을 꺼도 자료가 날아가지 않을 뿐만아니라 자료의 보관 기관이 상대적으로 길 것으로 생각된다. PRAM (parameter RAM) 은 날짜나 시간과 같은 극히 중요한 시스템 정보를 저장 하기 위해 매킨토시 컴퓨터 내에서 특수 배터리 전원으로 가동되는 램 이다. 분류:반도체 분류:상전이
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