About: dbkwik:resource/nbp1U40w6yelSPkOFYo1RA==

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An Entity of Type : owl:Thing, within Data Space : 134.155.108.49:8890 associated with source dataset(s)

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rdfs:label	띠구조
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abstract	띠구조 (band structure)는 결정 고체의 내부에서 파동처럼 행동하는 전자 (원자가띠가 취할수 있는 에너지 E와 파수 k와의 관계를 나타내는 곡선이다. 띠 이론을 보세요. [[그림:Si-band-schematics.PNG\|thumb\|right\|250px\|예시: 실리콘결정의 띠곡선 (대체로 본 형상)]] 결정중에는 이온껍질에 의한 주기적인 전기장에 의하여 전자가 취할 수 있는 에너지는 몇개의 띠모양 (밴드장) 영역에 한정된다. 이 영역을 에너지 띠라고 부르고 전자가 취할 수 없는 에너지 영역을 에너지 간격라고 부른다. 에너지 띠중에 어떻게 전자가 들어가 있느냐에 따라서 그 고체의 전기전도성이나 광학적 특성이 정해진다. 또한 띠구조는 띠곡선, E-k곡선 (E-k분산) 띠분산으로 불리기도 한다. 띠구조는 일반적으로 세로축이 에너지, 가로축이 제일 브릴루앙 영역 (brillouin zone)의 적당하게 선택한 몇개의 직선상의 k점이 되어있다. (계가 가지는 대칭성에 의존함) 각 k점상에 전자를 취할 수 있는 고유상태 (띠)가 있어서 이것들이 연결되어 곡선을 이루고 있다. (연결되는 방법도 중요함) 띠구조를 보는것으로 띠간격이 비어있는지 아닌지 (즉 대응하는 계가 금속인가 아닌가), 띠분산이 강한가 약한가처럼 밤전자상태의 차이 (분산이 약하면 그 띠의 전자는 보다 속박된 상태가 된다. 강하면 반대임), 다른계끼리의 띠구조를 비교하는 것으로써, 계의 안정성 (어느쪽이 보다 안정한가)같은 논의가 가능하다. (주: 띠구조만으로 판단할 수 없는 경우도 있다.) [[그림:BandDiagram-Semiconductors-J.PNG\|thumb\|right\|250px\|반도체 띠구조의 모식도. Eg가 띠간격 (밴드갭), 아래의 충만대가 원자가띠, 위에 공공이 전도띠가 된다.]] 반도체 (나 절연체)에서 k공간을 무시하고 띠간격의 주변만 주목하여 보다 간단한 묘사가 잘 이용된다. 띠간격 문서를 보세요. 전자의 띠구조와 유사한 것으로 포논에 의한 분산곡선이나 포토닉밴드구조등이 있다. 동일하게 이러한 파수k와 대응하는 에너지 고유값 (고유 에너지) εk의 관계를 분산관계라고 말한다.

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