공지층 접합형 전계효과 트랜지스터]]에서 반도체 내부의 채널 도전도를 그 폭으로 제어하는 층이다. FET(전계효과 트랜지스터)는 반도체 표면에 절연체를 이용해 전계를 인가, 반도체 표면에 형성되는 전류 통로(채널)의 도전도를 제어하는 절연 게이트형과 역바이어스된 게이트 접합부에 생기는 공지층의 폭으로 반도체 내부의 채널 도전도를 제어하는 접합형이 있다. 절연 게이트형 전계효과 트랜지스터는 게이트 아래에 놓인 절연층에 의해 축전기 구조가 형성되므로, 공지층에 의한 유사 교류 축전기만을 가지는 접합형 트랜지스터에 비해 동작 속도가 느리고 전송 컨덕턴스(gm)가 낮다.
공지층 접합형 전계효과 트랜지스터]]에서 반도체 내부의 채널 도전도를 그 폭으로 제어하는 층이다. FET(전계효과 트랜지스터)는 반도체 표면에 절연체를 이용해 전계를 인가, 반도체 표면에 형성되는 전류 통로(채널)의 도전도를 제어하는 절연 게이트형과 역바이어스된 게이트 접합부에 생기는 공지층의 폭으로 반도체 내부의 채널 도전도를 제어하는 접합형이 있다. 절연 게이트형 전계효과 트랜지스터는 게이트 아래에 놓인 절연층에 의해 축전기 구조가 형성되므로, 공지층에 의한 유사 교류 축전기만을 가지는 접합형 트랜지스터에 비해 동작 속도가 느리고 전송 컨덕턴스(gm)가 낮다.