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  • 더블패터닝
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  • 더블패터닝 또는 마스크 중첩은 차세대 리소그라피 기술으로 뛰어난 점은 하프 피치 32nm의 패턴을 기존의 노광 장치에서 형성할 수 있다는 것이다. 더블패터닝의 프로세스 방법은 두가로 크게 나눌 수 있다. 첫째, 1회의 노광으로 두가지 패턴을 만드는 방법이다. 대표적인 방법으로 측벽 프로세스가 있다. NAND형 플래시 메모리처럼 회로 패턴이 규칙적인 디바이스에 적당하다. 더블패터닝이나 EUV 노광이라는 차세대 리소그라피 기술에 대응하는 레지스트의 개발도 착실하게 진행되고 있다. 하프 피치 32nm를 목표로 차세대 리소그라피 기술의 후보로는 더블패터닝, EUV 노광, 고굴절률 액침, 마스트레스 리소그라피, 나노임프란트가 있다. 이 중에서 현시점에서 가장 완성도가 높은 것은 더블패터닝이다. 분류:리소그라피
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  • 더블패터닝 또는 마스크 중첩은 차세대 리소그라피 기술으로 뛰어난 점은 하프 피치 32nm의 패턴을 기존의 노광 장치에서 형성할 수 있다는 것이다. 더블패터닝의 프로세스 방법은 두가로 크게 나눌 수 있다. 첫째, 1회의 노광으로 두가지 패턴을 만드는 방법이다. 대표적인 방법으로 측벽 프로세스가 있다. NAND형 플래시 메모리처럼 회로 패턴이 규칙적인 디바이스에 적당하다. 둘째 방법은 두개의 상호보완적인 패턴을 2회로 나누어 노광하는 방법이다. 2회의 리소그라피의 사이에는 극도로 높은 마스크 중첩 정밀도가 요구된다. 이미 알려진 구조를 가진 객체의 마스크 중첩을 이용하여 공간 스펙트럼을 변화시킴으로서 회절의 한계를 극복할 수 있다. 마스크는 레이어를 달리하여 중복할 수 있으나 대상 레이어안에 또 다시 마스킹하는 중첩 마스크는 허용되지 않는다. 로직 LSI처럼 회로 패턴이 복잡한 디바이스에 이 방법이 적당할 것이다. 대표적인 방법으로 '프리징 프로세스'가 있다. 첫번째의 리소그라피에 의한 레지스트 패턴이 두번째로 도포되는 레지스트의 용제에 녹지 않도록 레지스트를 고화시킨다. 하프피치 32nm의 선폭/선간격 패턴이나 하프피치 40nm의 복잡한 로직 패턴을 NA1.2의 노광 장치에서 형성 가능하다는 것을 실증하고 있다. 더블패터닝이나 EUV 노광이라는 차세대 리소그라피 기술에 대응하는 레지스트의 개발도 착실하게 진행되고 있다. 하프 피치 32nm를 목표로 차세대 리소그라피 기술의 후보로는 더블패터닝, EUV 노광, 고굴절률 액침, 마스트레스 리소그라피, 나노임프란트가 있다. 이 중에서 현시점에서 가장 완성도가 높은 것은 더블패터닝이다. 분류:리소그라피
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